|
Включения в кристаллах
[inclusions within crystals] – трехмерные дефекты кристалла, существенно превышающие параметры элементарной ячейки. Это – ориентированные или неориентированные твердые частицы, полости с флюидной субстанцией (газом, жидкостью или их комбинациями друг с другом и мелкими к-лами, т. е. газово-жидкие включения) и двойниковые, политипные или полиморф. прослойки. Различают В. в к. (Леммлейн Г.Г., 1973): протогенетические (ранние образования, захваченные при росте к-ла), сингенетические (возникшие при росте к-ла и характеризующие среду кристаллизации – раствор или расплав) и эпигенетические (образовавшиеся в выросшем к-ле). В. в к. – источник информации об условиях и механизмах кристаллогенеза и постростовых процессов для минералогич. реконструкций, а также для оптимизации режима выращивания монокристаллов, однако их характеристики высоко конвергентны из-за многофакторной кинетической природы (Таланцев А.С., 1981; Воробьев Ю.К., 1990). Сингенетические флюидные площадные В. в к. под гранями могут образоваться в диффузионном режиме кристаллизации при повышенных пересыщениях и недостаточно интенсивном перемешивании. Содержание растворенных газ. и минер. в-в различается как между включениями, так и между объемом р-ра и включениями. Ансамбли сингенетических точечных включений могут образоваться в кинетическом режиме при отравлении поверх. примесями за счет адсорбции в условиях пониженных пересыщений. Эпигенетические В. в к. могут образоваться при залечивании трещин, при монокристаллическом замещении, при усадке и формировании новых к-лов в ходе твердофазового преобразования, при неравномерном скольжении кристалла с возникновением микрополостей.
|
